RTP Electro Optical Devices

Атрибути продукту RTP Electro Optical Devices

Можливість постачання та додаткова інформація про RTP Electro Optical Devices

Упаковка та доставка RTP Electro Optical Devices

Одиниці продажу: сумка/сумки

Тип упаковки: Вакуумна упаковка

Ми є експертами в області RTP Electro Optical Devices. Coupletech надає Q-перемикачі RTP EO. RTP Electro-Opitcal Devices — це ізоморфний кристал як кристал KTP, який використовується в нелінійних та електрооптичних додатках. Він має більш високий поріг пошкодження (приблизно в 1,8 рази від KTP), високий питомий опір і може використовуватися з високою частотою повторень, без гігроскопічного та п’єзоелектричного ефекту. Він має хорошу оптичну прозорість від приблизно 400 нм до понад 4 мкм і, що дуже важливо для роботи лазера всередині резонатора, пристрої RTP EO пропонують високу стійкість до оптичних пошкоджень з потужністю майже 1 ГВт/см2 для імпульсів 1 нс при 1064 нм. Весь діапазон передачі становить від 350 нм до 4500 нм.

RTP (Rubidium Titanyl Phosphate – RbTiOPO4) є хорошим електрооптичним кристалом, придатним для широкого спектру застосувань (таких як Q†перемикачі, амплітудні та фазові модулятори, датчики імпульсів тощо) та роботи в промисловості, медицині та ін. , та оборонні продукти. Кристал прозорий у найбільш поширених довжинах хвилі лазера у видимому та близькому інфрачервоному діапазоні. Він добре працює в дуже широкому діапазоні температур і з дуже високою частотою повторення. Пристрої перемикання Qâ на основі RTP пропонуються в конфігураціях узгоджених пар із температурною компенсацією. При використанні для таких застосувань, як Q†перемикачі та амплітудні модулятори, кристали монтуються багатьма способами, просто встановлені або циліндричний корпус, додатковий, простим монтажним способом, вхідний промінь поляризується вздовж діагоналі грані в кристалах на основі RTP. .

Переваги RTP:
Висока частота повторень
Не гігроскопічний
Великі нелінійно-оптичні та електрооптичні коефіцієнти
Низька напівхвильова напруга
Немає п'єзоелектричного дзвінка
високий поріг пошкодження;

Параметри RTP:
Передача при 1064 нм: >98,5%
Доступні отвори: 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 мм
Напівхвильова напруга при 1064 нм: 1000 В (3x3x10+10)
Розмір осередку Pockels: діаметр 20 мм для отвору 3x3, 4x4, діаметр 25,4 мм для отвору 5x5
Коефіцієнт контрастності: >23 дБ
Кут приймання: > 1°
Порогове значення пошкодження: >600 МВт/см2 при 1064 нм 10 нс
Стабільність у широкому діапазоні температур (-50˚ƒ – +70˚ƒ)
Coupletech може надати новий дизайн високонадійних пристроїв RTP EO. Coupletech також може надати багато типів перемикачів EO Q, таких як осередки BBO Pockels, запечатані клітини BBO Pockels, DKDP (KD*P) Pockels Cell і LiNbO3 та MgO:LN Pockels Cell.
Шукаєте ідеального виробника та постачальника пристроїв RTP EO? У нас є широкий вибір товарів за цінами, щоб допомогти вам проявити креативність. Усі перемикачі RTP EO Q мають гарантію якості. Ми є китайською фабрикою перемикачів Q на основі RTP. Якщо у вас виникли запитання, будь ласка, зв’яжіться з нами.